Kioxia dự kiến sản xuất NAND 332 lớp thế hệ 10 tại Kitakami từ năm 2026

[Tin tức] Kioxia dự kiến sản xuất NAND 332 lớp thế hệ thứ 10 tại Kitakami từ năm 2026, tận dụng nhà máy hiện có

Kioxia (Nhật Bản) đang có bước đi chiến lược trong bối cảnh các nhà sản xuất bộ nhớ lớn vẫn thận trọng với việc mở rộng công suất NAND. Theo Nikkei (dẫn nguồn MoneyDJ), công ty dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND Flash thế hệ thứ 10 tại nhà máy Kitakami, tỉnh Iwate, vào năm 2026, nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng từ các trung tâm dữ liệu AI.

Dù được xem là một bước nhảy vọt về công nghệ – khi NAND thế hệ thứ 10 của Kioxia sử dụng cấu trúc xếp chồng 332 lớp, so với 218 lớp của thế hệ thứ 8 hiện tại – hãng được cho là lựa chọn cách tiếp cận thận trọng về mặt sản xuất. Thay vì xây dựng nhà máy mới, Kioxia sẽ tái sử dụng cơ sở Kitakami K2, nhà máy vừa đi vào hoạt động từ tháng 9, để sản xuất dòng NAND mới.

Liên quan đến chi tiết kỹ thuật, Tom’s Hardware từng đưa tin vào tháng 2 rằng NAND thế hệ thứ 10 của Kioxia tiếp tục phát triển công nghệ CMOS directly Bonded to Array (CBA), lần đầu được giới thiệu trên thế hệ thứ 8, với nhiều cải tiến đáng kể về hiệu năng.

Theo báo cáo, chip NAND mới có số lớp tăng khoảng 38%, đạt 332 lớp, giúp nâng mật độ lưu trữ lên tới 59%. Tốc độ truyền dữ liệu đạt 4,8 Gb/s, cao hơn khoảng 33% so với thế hệ trước.

Theo TrendForce, liên minh Kioxia/SanDisk – không sở hữu mảng DRAM – đang là bên có chiến lược quyết liệt nhất nhằm nâng cao vị thế trên thị trường NAND. Nhóm này dự kiến tăng đầu tư thêm 41% so với cùng kỳ, lên khoảng 4,5 tỷ USD vào năm 2026, tập trung mở rộng sản xuất BiCS8 và hỗ trợ hoạt động nghiên cứu – phát triển BiCS9.